BAS70-05-G3-08-HXY_SOT-23_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌:HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装:SOT-23 类别:肖特基二极管 最小包装:3000/圆盘 参数1:IF:0.2A 参数2:VR:70V 参数3:VF:1.25V 参数4:IR:2.5uA 标价:欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置,额定正向电流为0.2A,最大反向电压达70V。其正向压降典型值为1.25V,在25℃环境下的反向漏电流仅为2.5μA,具备较低的导通损耗与良好的反向阻断特性。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM),适用于对效率和响应速度有一定要求的整流、箝位及电源管理等电路场合。
