SBA120AS-AU_R1_000A1_SOD-123_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOD-123 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:20V 参数3：VF:0.45V 参数4：IR:1000uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，具有1A的额定正向电流（IF）和20V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.45V，有助于在导通状态下减少功耗；反向漏电流（IR）为1000μA。器件可承受高达9A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于电源整流、信号箝位、电池反接保护及高频开关电路等场景，适合对低损耗和快速响应有要求的应用。
