BAS40-05-G3-08_SOT-23-3L_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向电流（IF）为0.2A，反向耐压（VR）达40V，正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）低至0.2μA，具备良好的导通效率与低静态损耗特性。其最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于需要快速响应和低功耗的整流、箝位或信号切换电路。共阴极配置便于在空间受限的双通道应用中简化布线，常用于便携设备、消费类电子产品及高频信号处理场景。
