AON7200L_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6mΩ，在栅源电压（VGS）高达±20V时仍能稳定工作。器件采用标准封装，适用于对效率和热性能要求较高的电源管理、电机驱动及高频开关等应用场景，其低导通损耗有助于提升系统整体能效，并简化散热设计。
