B360AE-13-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的正向电流（IF）和60V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.7V，在导通状态下能有效降低功耗。在反向偏置条件下，漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流与高频开关场景。
