FDD8880-G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为7mΩ。其低导通电阻有效降低导通损耗，适用于高电流、中低电压的开关应用场景。器件在高频开关条件下仍能保持较低的温升，适合用于电源转换、电池管理系统及各类高效能电子设备中的功率控制环节。
