SUD50N03-06AP-T4E3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧，有效降低导通状态下的功率损耗。器件适用于高电流、低电压应用场景，如电源转换、电池管理系统及高效开关电路等。其低阻抗特性有助于提升系统整体效率，并在高频开关条件下维持良好的热稳定性与可靠性。
