MS110-AU_R1_000A1_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向重复电压（VR）达100V。其典型正向压降（VF）为0.85V，反向漏电流（IR）不超过100μA，表现出较低的导通损耗和良好的反向阻断能力。器件具备30A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、电源适配器、便携设备供电管理及各类对效率与热性能敏感的电子电路中。
