MBR39AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:300uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.85V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为300μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达80A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中，能够有效提升系统能效并保障运行稳定性。
