BAS40-05-E3-18_SOT-23-3L_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为1V，在反向偏置条件下漏电流（IR）仅为0.2μA，表现出优异的低功耗特性。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路。共阴极结构便于在双路信号处理或电源管理中实现紧凑布局，适合用于便携式电子设备及高频应用场景。
