BAS40-05-G3-18_SOT-23-3L_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:1V 参数4：IR:0.2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为0.2A，最大反向电压（VR）为40V，正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）仅为0.2μA，体现出较低的导通损耗与优异的截止特性。器件可承受的最大正向浪涌电流（IFSM）为0.6A，适用于对效率和响应速度有要求的整流、保护及信号切换功能。其共阴极结构有助于简化双路电路设计，适合用于便携式设备、通信模块及高频电子系统中。
