GSFC0306_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有5.8A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为30V，在栅源电压为12V时导通电阻典型值为22mΩ。其低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于对开关速度和导通效率有较高要求的电子系统，如电源转换、负载开关及便携式设备中的功率管理单元，能够在有限空间内实现稳定可靠的开关操作。
