DMG3404L-13_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）的漏源击穿电压（VDSS）为30V，最大连续漏极电流（ID）为5.8A，在栅源电压（VGS）为12V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为22毫欧。其低导通电阻有助于降低导通损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、负载开关及同步整流等电路应用。
