NTMFS4921NT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），以及5.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率并改善热表现。器件适用于高电流、高频开关场景，常见于电源转换模块、电池供电设备、电机驱动电路及各类对能效和功率密度有较高要求的电子系统中。
