MBR140ESFT1G-HXY_SOD-123_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOD-123 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.6V 参数4：IR:1000uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）达40V。其正向压降（VF）典型值为0.6V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）为1000μA，在同类器件中处于合理范围。器件可承受高达9A的正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度有一定要求的电源整流、信号检波及低压高频电路等场景，具备良好的热稳定性和开关特性。
