IRLR7833TRRPBF_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.8毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗相结合，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及开关应用场景。器件结构优化了开关速度与导通特性，在高频操作条件下仍能保持稳定性能，适合用于各类高密度、高效率的电力电子系统中。
