BYS10-45HE3_A/H-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的正向电流（IF）和40V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）典型值为0.55V，在导通状态下功耗较低；反向漏电流（IR）为500μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达70A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对效率和瞬态耐受能力有一定要求的电源整流、极性保护及高频开关等应用场景。
