B1100Q-13-F-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:1A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流（IF）为1A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗。在最大反向电压下，其反向漏电流（IR）不超过100μA，具备良好的阻断性能。器件可承受高达30A的非重复峰值浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、便携式设备电源管理及各类低电压高效率电路中。
