IRLR8103VPBF-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效降低功率损耗与温升，提升整体运行效率。器件适用于高频率开关电源、电池管理系统、电动工具驱动电路以及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足对紧凑布局和热性能要求较高的应用场景。
