BAS70DW-04-TP_SOT-363_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.15A 参数2：VR:75V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用2对串联式配置，额定正向电流为0.15A，最大反向电压达75V。其正向压降为1.25V，在反向偏置下漏电流仅为1μA，体现出良好的导通与截止特性。器件可承受2.5A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要多级串联结构的整流、电压箝位、信号解调及电源极性保护等电子电路，适合对空间布局和电气性能有特定要求的应用环境。
