SSF3912S_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流ID为5.8A，最大漏源电压VDSS为30V，在VGS为12V驱动条件下，导通电阻RDS(ON)典型值为22mΩ。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率。该器件适用于对能效和热性能有要求的电子电路，如直流-直流转换器、电池供电设备中的电源开关以及各类中低功率电子负载控制场景，能够实现稳定可靠的开关功能。
