TPCA8003-H(TE12LQM_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.7毫欧，在栅源电压（VGS）达±20V条件下可稳定运行。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流开关电源、电池管理系统、电机控制及各类高效功率转换电路。其优异的导通特性和高电流承载能力，使其在需要频繁开关或持续大电流工作的场合中表现可靠。
