DMN3032LQ-7-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压为12V时，导通电阻（RDS(ON)）为22毫欧，最大连续漏极电流（ID）达5.8A。其低导通电阻特性有助于有效降低导通状态下的功率损耗，适用于电源管理、负载开关、同步整流及各类对能效和热性能有较高要求的电子电路中。
