TPCA8064-H,LQ(CM_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）典型值为4.7mΩ。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升功率转换效率，适用于对电流承载能力和热性能要求较高的场合。该器件可有效应用于开关电源、DC-DC转换模块以及高频率功率开关电路中，满足紧凑型电源设计对高效能与小体积的需求。
