BSC059N03ST_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，栅源电压额定值达20V。其较低的导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类需要大电流处理能力的电子设备。器件在高频开关条件下仍能保持稳定性能，适合对热管理和能效有较高要求的应用场合。
