SIRA18DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。低导通电阻有助于降低导通损耗，提升整体效率，同时支持高电流通过能力。器件适用于对功率处理能力和开关性能要求较高的电源转换、电池管理系统及各类高效电子设备中的功率控制环节，在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气特性。
