FDMS3016DC_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在导通状态下其导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压最高可达20V。器件结构优化了导通与开关性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高电流开关场景。其低RDS(ON)有效降低导通损耗，提升系统整体能效，同时支持高频操作，便于在紧凑型电路布局中实现稳定可靠的功率控制。
