NTMFS4701NT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）支持80A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7毫欧，栅源驱动电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)有效降低导通损耗，提升能效表现，同时在高电流工作条件下维持较低温升。适用于高密度电源设计、电池充放电控制、大电流开关电路及对效率和热性能有较高要求的电子系统中。
