FDMS7682-NC_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其大电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于高效率开关电源、电池供电设备、电机驱动及各类功率转换系统，在高负载或高频操作条件下仍能维持稳定性能。
