NTMFS4841NHT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.7mΩ，在栅源电压高达20V的条件下可稳定运行。其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源模块、大电流开关电路以及对热性能和空间布局要求较高的电子系统。器件具备良好的开关特性，适合在高频操作环境中实现精确控制与高效能量转换。
