NVMFS4841NT1G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，在栅源电压达20V时可稳定工作。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流、低电压环境下的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气特性。
