BAS70DW-04Q-7-F-HXY_SOT-363_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:0.15A 参数2：VR:75V 参数3：VF:1.25V 参数4：IR:1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用2对串联式结构，额定正向电流为0.15A，最大反向电压为75V。在导通状态下，其正向压降为1.25V；在反向截止时，漏电流仅为1μA，表现出优异的阻断性能。器件可承受高达2.5A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要多级串联配置的整流、信号箝位及电源保护等电路场合，兼顾紧凑布局与电气可靠性。
