AON7202L_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ，显著降低导通损耗。器件在高电流密度下仍能维持较低温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电机驱动及各类高频开关电路。其低阻抗特性有助于提升系统整体能效，并减少对散热结构的依赖。
