DMN3023L-13-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:5.8A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:22mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和5.8A的连续漏极电流（ID），在导通状态下呈现低至22毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升整体能效。器件适用于对效率和热性能有较高要求的电源管理、负载开关及同步整流等电路拓扑中，能够在紧凑空间内实现稳定可靠的开关操作。
