NTTFS4943NTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。在高频率开关或持续大电流工作条件下，其低导通电阻有助于显著降低功耗与温升，适用于电源管理、电池供电系统、电机控制及各类高效能开关电路中。器件结构优化了导通与开关特性，在紧凑型设计中可提供稳定的电气性能。
