TPCA8005-H(TE12LQM_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧，在栅源电压（VGS）高达±20V时仍能保持稳定工作。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率，适用于高效率电源转换、电机驱动、电池充放电控制以及各类中高功率开关电路。器件支持快速开关操作，适合对热性能和功率密度有较高要求的应用场景。
