SS19L_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为2A，最大反向电压（VR）为100V。其正向压降（VF）为0.85V，在导通时保持相对较低的损耗；反向漏电流（IR）为100μA，表现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。典型应用包括开关电源整流、直流-直流转换器中的续流路径以及极性保护电路等。
