MBR3H60AFC_R1_00001_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式配置，额定正向电流为3A，最大反向电压达60V，正向压降为0.7V，反向漏电流低至100μA，具备良好的导通效率与关断特性。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于存在瞬态电流冲击的电路环境。其电气特性使其适合用于开关电源中的整流、输出极性保护、高频续流以及各类对效率和响应速度有要求的电子设备中。
