UPA2821T1L-E1-AT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为2.9毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体能效。器件适用于高电流、高效率要求的电源转换、电池管理系统及大功率电机驱动等场合。在高频开关应用中，该MOSFET展现出良好的动态性能和热稳定性，适合集成于对空间和散热有严苛限制的紧凑型电子设备中。
