PJQ4402P_R2_00001_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至2.9mΩ。其极低的导通电阻显著减少导通损耗，有利于提升系统整体效率并降低温升。适用于高电流密度的电源管理应用，如大功率开关电源、高效同步整流电路以及需要频繁开关操作的负载控制场景，在高频工作条件下仍能维持稳定的电气特性。
