STL23NS3LLH7_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。在高电流应用场景中，其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统效率并减少发热。适用于大电流开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类高效能功率转换电路，能够支持高密度设计与稳定运行。
