AONR36366_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持120A的连续漏极电流，漏源电压额定值为30V，导通电阻低至2.9毫欧。其极低的导通电阻显著减少导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率并降低温升。适用于高电流密度的电源转换、服务器供电模块、电动工具驱动以及需要高效热管理的电子设备。器件结构适合高频开关操作，可在紧凑型设计中提供稳定可靠的性能表现。
