RBR3LAM40ATFTR-HXY_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:40V 参数3：VF:0.55V 参数4：IR:500uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为3A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.55V，有助于在导通状态下减少能量损耗；反向漏电流为500μA，表现出合理的阻断特性。由于肖特基势垒结构带来的快速恢复特性，该器件适用于开关电源、直流-直流转换器、极性保护电路以及对效率和热性能有要求的电子系统中，能够有效支持稳定可靠的整流与续流功能。
