MBRA2H100T3G-HXY_SMA_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMA 类别：肖特基二极管 最小包装：2000/圆盘 参数1：IF:2A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用独立式结构，额定平均正向电流（IF）为2A，最大反向重复峰值电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流（IR）不超过100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达50A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及对效率和热性能有较高要求的电子电路中。
