RBR3LAM60ATFTR-HXY_SMAF_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SMAF 类别：肖特基二极管 最小包装：3000/圆盘 参数1：IF:3A 参数2：VR:60V 参数3：VF:0.7V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管为独立式结构，具有3A的额定正向电流和60V的最大反向电压。其正向压降为0.7V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为100μA，表现出良好的阻断能力。器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于电源整流、极性保护、高频开关以及对效率和热性能有要求的各类电子电路中。
