STS19N3LLH6_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5毫欧，栅源电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类中等功率开关电路。其电气特性支持快速开关动作，在高频工作条件下仍可维持稳定性能，适合对体积与热管理有较高要求的紧凑型电子设备。
