BSO4420T_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备18A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为5mΩ，在栅源电压（VGS）达20V时可实现高效导通。其超低导通电阻有效降低功率损耗，适用于高效率电源转换、电池管理系统及各类中低电压开关电路。器件结构优化了热性能与开关特性，适合对能效和紧凑布局有较高要求的应用场合。
