AO4498L_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:18A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为30V，连续漏极电流（ID）达18A，导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。凭借其低导通电阻和较高的电流承载能力，适用于高效率电源转换、便携式设备供电系统以及需要频繁开关操作的电子电路中。器件在导通与关断状态间的快速切换特性，有助于降低开关损耗，提升整体电路性能。
