SIRA18BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为5.7毫欧。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统能效，适用于高电流密度的电源转换、电机控制及各类开关电源拓扑结构。其电气特性适合在高频工作条件下保持稳定性能，同时具备良好的热稳定性和线性区响应能力，便于实现精准的功率调节与高效能量传输。
