NTTFS4C13NTWG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压，导通电阻为7.5毫欧。其低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于需要高效能开关操作的场合，如电源管理模块、电池供电设备及高频DC-DC转换器等。在合理的驱动条件下，可实现快速开关响应，同时维持较低的温升，适合对体积与热性能有要求的紧凑型电子设计。
